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2025-07-02 14:03:00
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结构和化学成像确定了{110}界面垂直于（001）层平面，没学在整个厚度的10 nm范围内横向定位和清晰。c）单色STEM-EELS光谱线扫描（空间步长Δ=20纳米），哥想果烧包括在多层SnS和GeS之间的横向界面上测量的全部EEL光谱（在a中的十字线点）。
阴极发光光谱为电子-空穴对在横向界面上的转移提供了证据，放屁表明共价拼接具有高电子质量和低密度的复合中心。吹灭e）d所示的GeS-SnS异质结构进行拉曼光谱扫描。g）横向界面（IF，蜡烛a中的虚线）的EDS线轮廓，显示阳离子（Sn（红色）。
欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，化学好日投稿邮箱[email protected]。没学d）来自异质结构中心区域的纳米束电子衍射图案（e中的红色方块）。
哥想果烧放大图像显示了厚{110}多面异质结构的SnS核心和GeS边缘之间的特征光学对比度。
不同的二维晶体，放屁包括石墨烯-hBN和一些过渡金属二硫化物，已经开发出了横向集成的生长工艺。吹灭相关研究成果以AchievingUltralowLatticeThermalConductivityandHighThermoelectricPerformanceinGeTeAlloysviaIntroducingCu2TeNanocrystalsandResonantLevelDoping为题在国际著名期刊《ACSNano》在线发表(https://doi.org/10.1021/acsnano.1c05650,影响因子15.88）。
碲化铅热电材料由于其优异的性能在军事和航空航天领域得到广泛应用，蜡烛但其有一个致命缺点-含有铅元素，对环境不友好。图5材料结构表征图6材料ZT图【结论】综上所述，化学好日研究团队通过重含量Cu与In双掺杂，实现了协同优化GeTe电声输运特性的目的。
重含量Cu掺杂可以在GeTe中获得Cu2Te纳米晶第二相，没学Cu2Te纳米晶形成声子散射中心调控GeTe的声子输运过程，没学使Ge0.9In0.015Cu0.125Te材料的晶格热导率在823K下降到0.31Wm-1K-1，低于理论计算的GeTe材料非晶极限值。同时In掺杂在GeTe费米能级附近产生共振态能级，哥想果烧能够提升材料的塞贝克系数，哥想果烧In、Cu双掺还能显著提高GeTe材料载流子迁移率，从而使材料功率因子显著提升，将GeTe材料的热电优值ZT提升至2.0。